当前位置：首页 > 产品中心

立方铁锰矿结构

立方铁锰矿结构

方铁锰矿百度百科

方铁锰矿（Bixbyite）是采集于美国 (The United States)的岩石标本。 [1] 晶体形态：晶体呈立方体，少见 {112}或 {111}单形，常显示阶梯状生长，粒径可至6cm，可呈致密状集合体，双晶沿 {111}方向呈穿插双晶。晶体结构：相当于萤石结构中减少1/4阴离子为止，其他原子相对位方铁锰矿来自百度文库构方铁锰矿是一种氧化物矿物,化学式为Fe^2+Mn^2+O4,属方铁锰矿结构百度文库2014年6月9日 1．1 氧化铟In203的结构氧化铟（Lrl203）是一种重要的n型半导体氧化物，属于m．VI族，带隙宽度在3．55～3．75 eV间，其稳定结构为立方铁锰矿结 In2O3晶体的合成及其形貌表征豆丁网本文制备了底栅结构的氧化铟(In2O3)基薄膜晶体管,并对其性能进行了研究 In2O3 是一种具有立方铁锰矿结构的宽禁带氧化物半导体材料,禁带宽度约为36 eV,也是一种典型的透明氧化物半导 In2O3TFT 的制备及其性能研究百度学术

一文读懂ITO薄膜

2021年6月1日 In2O3是直接跃迁宽禁带半导体材料，其晶体结构是立方铁锰矿结构。由于在In2O3形成过程中没有构成完整的理想化学配比结构，结晶结构中缺少氧原子(氧空位) ，因此存在过剩的自由电子，表现出一定的电子导电性。2023年3月30日近年来，立方方铁锰矿结构的高熵氧化物（HEOs）被认为是高温隔热领域的潜在候选者。然而，仍然需要探索它们的相关特性以用于可能的应用。在这项工作中，(5Re 02 ) 立方方铁锰矿结构高熵氧化物的结构、机械和热性能,Chemical 2023年5月10日研究了块状和薄膜类型的 ScFeO 3的生长、微观结构和磁性能。结果表明，在1400℃以上的烧结温度下，可以获得单相方铁锰矿结构的块状ScFeO 3 。体相ScFeO 3 具方铁锰矿结构 ScFeO3 的生长、微观结构和磁性能：体膜和本文采用水热法,分别以纯水或添加1 mol/L KOH和5 mol/L KOH作为矿化剂,填充度为35%,前驱物为In (OH)3,反应24 h合成了In (OH)3,InOOH和In2O3晶体研究了不同温度 (分别为200℃,250℃ In2O3晶体的合成及其形貌表征百度学术

方铁锰矿结构百度文库

方铁锰矿来自百度文库构方铁锰矿是一种氧化物矿物,化学式为Fe^2+Mn^2+O4,属于尖晶石族矿物。其晶体结构为立方晶系,空间群为Fd3m(Oh^7),晶胞参数为a=838 ?。方铁锰矿的晶体结 2016年10月18日具有体心立方铁锰矿结构 (Cubic Bixbyite Structure)，又称C 型稀土氧化物结构 (CType，Rare Earth Sesquioxide Structure)，空间点群 Ia3(206)，标准晶格常数为10118 ITO 薄膜的研究进展锰是元素周期表中第四周期的第七族元素。在自然界中锰有Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ及Ⅶ价态，其中以Ⅱ和Ⅳ价态最为常见。锰在空气中非常容易氧化。在加热条件下，粉状的锰与氯、溴、磷、硫、硅及碳元素都可以化合。锰在地球岩石圈中以及硅酸盐方锰矿百度百科优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为～ 10 2 0 cm3 ,电阻率为～ 10 4Ωcm ,是高度简并半导体 ,其能带为抛物线型结构。由于Burstein Moss效应 ,光学能隙ITO薄膜的光学和电学性质及其应用百度学术

In O 晶体电子结构和光吸收机理研究 O

2015年10月11日关键词: G0W0BSE近似, 准粒子能带结构, 光学性质, 吸收机理 PACS: 3110+z, 3115–p DOI: 107498/aps64 1 引言方铁锰矿结构的三氧化二铟(In2O3)是重要的 n型宽禁带透明导电氧化物, 具有良好的电导率和透光率, 以及高红外反射率等特性[1;2], In 22021年6月1日 ITO 在一般情况下为体心立方铁锰矿结构，是基于In 2O3晶体结构的掺杂，In 2O3中In 原子是六配位，O 原子是四配位。 In2O3晶体结构中本征缺位（氧缺位）和Sn 4+替代In 位两种机制共同贡献了大量自由电子，因此ITO 为n 型半导体，载流子浓度在10 21/cm3左右，为重一文读懂ITO薄膜2022年8月19日上期我们复习了面心立方晶胞（FCC）的知识点，本期讲解上海交通大学版《材料科学基础》第2章内容：固体结构，典型金属的晶体结构——体心立方晶胞（BCC）。 01原子结构BCC，即体心立方晶格（Body Center Cubic）【材科基干货】第08期：体心立方（BCC）晶胞知识点全 2019年5月4日 ITO在一般情况下为体心立方铁锰矿结构，是基于In 2 O 3 晶体结构的掺杂，In 2 O 3 中In原子是六配位，O原子是四配位。 In 2 O 3 晶体结构中本征缺位（氧缺位）和Sn 4＋替代In位两种机制共同贡献了大量自由电子，因此ITO为n型半导体，载流子浓度在10 21 ／cm 3 左一文了解透明导电薄膜材料ITO 维科号

ITO薄膜的特性及用途知乎

2021年8月18日 ITO薄膜具有复杂的立方铁锰矿结构，其特性主要有：（1）导电性能好（电阻率可低达104Ωcm），带隙宽35~43eV，载流子浓度（1021cm3）和电子迁移率（15~45cm2V1s1）较高；（2）在可见光波段透过率，可达85%以上；（3）对紫外线的吸收率较高2022年1月15日透明ITO导电膜一、ITO膜为什么可以导电从物理学上讲，氧化铟锡膜是一种直接跃迁宽禁带半导体材料，其晶体结构是立方铁锰矿结构。由于在In2O3形成过程中没有构成完整的理想化学配比结构，结晶结构中缺少氧原子(氧空位) ，因此存在过剩的自由电子，这使得ITO膜具备了一定的电子导电性。ITO导电膜的原理是什么知乎2005年9月2日具有三氧化二铟的立方铁锰矿结构, 薄膜的最佳取向为 (111) 方向随着衬底温度的升高, 衍射峰的强度增加, 半高宽减小, 这表明薄膜的平均晶粒度随淀积温度的升高而增大根据衍射谱可以估算出薄膜的平均晶粒度约为15～ 35nm [9]有机材料衬底 ITO 的结构和导电特性研究2016年10月18日能带结构、光电性能及力学性能等方面的研究进展，简略探讨了ITO 薄膜的研究发展方向。 1 ITO薄膜的微结构特性通常，利用各种沉积方法制备的晶态或非晶态ITO 薄膜材料的主相均为In2O3。 In2O3 稳定相为立方相，密度为712 g/cm 3，具有体心立方铁锰矿ITO 薄膜的研究进展

(Lu05In05)2O3:Tm3+,Yb3+超细粉末的合成和上转

2020年7月15日立方氧化铟是稳定晶型，与Lu 2 O 3 都属于方铁锰矿型体心立方结构，即每个晶胞中含有80个原子，包括32个铟原子和48个氧原子。In 3+ 离子位于两种格位：8 2019年7月2日 In2O3是直接跃迁宽禁带半导体材料，其晶体结构是立方铁锰矿结构。由于在In2O3形成过程中没有构成完整的理想化学配比结构，结晶结构中缺少氧原子(氧空位) ，因此存在过剩的自由电子，表现出一定的电子导电性。一文读懂ITO薄膜导电以3 mol/L KOH作为矿化剂,填充度为35%,前驱物为市售In2O3(立方铁锰矿相和六方刚玉相混合物),温度为430℃,在水热条件下转化为立方铁锰矿In2O3晶体说明在水热条件下,立方铁锰矿相较刚玉结构的六方相更稳定采用10 mol/L KOH为矿化剂,填充度为35%,温度 In2O3晶体的合成及其形貌表征百度学术2015年2月20日 4 小结 IT 薄膜的光学性质由 In 2 3 立方铁锰矿结构中引入的缺陷决定。导电电子主要来源于氧空位 Vo 和锡替代原子 SnIn 这两种主要缺陷，含有百分之几的 Sn 时，氧空位可以忽略。不同条件下制备的薄膜有不同缺陷。 IT 薄膜电阻率相当低（ 10 4 ITO薄膜的光学和电学性质及其应用豆丁网

In2O3TFT 的制备及其性能研究 Semantic Scholar

本文制备了底栅结构的氧化铟(In2O3)基薄膜晶体管，并对其性能进行了研究。 In2O3 是一种具有立方铁锰矿结构的宽禁带氧化物半导体材料，禁带宽度约为36 eV，也是一种典型的透明氧化物半导体材料，在可见光波段表现出了良好的透明性。近年来，基于透明氧化物半导体(TOS)材料的薄膜晶体管已经立方铁锰矿结构In2O3传感器对O3表现出增强的敏感性能主要归因于敏感材料较窄的带隙和较强的氧吸附能力。(2)研究In2O3的形貌对传感器O3传感性能的影响。通过共沉淀法合成了枝状In2O3分等级结构，与未经处理的商业In2O3粉末作对比。In2O3微纳结构的构筑及O3气体传感性能与应用的研究2023年5月10日研究了块状和薄膜类型的 ScFeO 3的生长、微观结构和磁性能。结果表明，在1400℃以上的烧结温度下，可以获得单相方铁锰矿结构的块状ScFeO 3 。体相ScFeO 3具有显着的反铁磁特性，反铁磁尼尔温度T N约为26 K。具有方铁锰矿结构的外延型方铁锰矿结构 ScFeO3 的生长、微观结构和磁性能：体膜和 2002年4月20日介绍了氧化铟锡（ITO）薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2O3晶格上的In原子，每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为－10^20cm^3，电阻率为－10^4Ωcm，是高度简并 ITO薄膜的光学和电学性质及其应用

ITO透明导电薄膜发展历程知乎

2021年2月22日 ITO在一般情况下为体心立方铁锰矿结构，是基于In2O3晶体结构的掺杂，In2O3中In原子是六配位，O原子是四配位。In2O3晶体结构中本征缺位（氧缺位）和Sn4+替代In位两种机制共同贡献了大量自由电子，因此ITO为n型半导体，载流子浓度在1021/cm3 2023年4月22日方铁锰矿（英语：）是一种锰铁氧化物矿物，化学式为：(Mn,Fe)2O3。铁/锰比变化很大，许多样品几乎不含铁。它是一种深黑金属色，莫氏硬度为 60 65。它是一种稀有矿物，通常呈现各种立方体、八面体和十二面体的立方晶系晶体。方鐵錳礦 Wikiwand2005年9月2日 3 1 结构特性图1 为在不同衬底温度下制备的ITO 膜的X 射线衍射谱可以看出, P I 衬底ITO 膜具有纯三氧化二铟的立方方铁锰矿结构, 最佳取向为(111)方向; 随着衬底温度的升高, 衍射峰图1 玻璃和P I衬底ITO 膜的X 射线衍射谱 a 玻璃T S= 80℃; b P I T S= 80℃有机薄膜衬底 ITO2018年9月20日 (400) 晶面, 说明样品的主晶相为In2O3 的立方多晶铁锰矿结构通过XRD测试结果发现, 随着基底温度的升高, (400)晶面的衍射峰明显增强, (222) 晶面的衍射峰强度先增强后减弱, 表明对应ITO 薄膜的结晶性先提高后降低这是由于在溅射过铟锡氧化物薄膜表面等离子体损耗降低的研究

Structural, mechanical and thermal properties of cubic

2023年3月30日近年来，立方方铁锰矿结构的高熵氧化物（HEOs ）被认为是高温隔热领域的潜在候选者。然而，仍然需要探索它们的相关特性以用于可能的应用。在这项工作中，(5Re 02) 2 O 3 的十二种新的高熵氧化物（HEO112 2010年1月1日方铁锰矿结构纳米晶βFe2O3颗粒的形成机理及其磁学性质而在 490 °C 以上，产生了尺寸增加约 1 μm 的立方颗粒。所有样品在低温下都是反铁磁性的。大立方颗粒的尼尔温度 (TN) 为 119 K，而纳米颗粒的尼尔温度方铁锰矿结构纳米晶βFe2O3颗粒的形成机理及其磁学性质 2013年10月20日与标准 PDF 卡片对比的结果说明,基板温度为 300曟时沉积的 ITO 薄膜具有 In2O3 的立方铁锰矿结构,并且呈现明显的[ 111 ]择优取向。图 4 为不同沉积速率下制备的 ITO 薄膜的 X 射线衍射图谱。沉积速率为 01nm / s 时,薄膜衍射峰强度相对较低,仅有( 211 沉积参数对ITO表面形貌及晶体结构的影响武汉理工大学学报2023年5月12日氧化铟锡（ITO）晶体结构氧化铟锡（ITO）是通过用锡掺杂In2O3而形成的n型半导体，晶体结构是In2O3结构，其中In2O3结构具有两种形态，一种是立方铁锰矿结构，另一种是六方刚玉结构。立方铁锰矿结构是常见的In2O3结构，如图1所示。转：ITO靶材应用与解决方案知乎

ITO薄膜的光学和电学性质及其应用百度文库

2002年4月20日 ITO 薄膜的光学性质由 In2 O3 立方铁锰矿结构中引入的缺陷决定。导电电子主要来源于氧空位 Vo 和锡替代原子 SnIn 这两种主要缺陷 , 含有百分之几的 Sn 时 ,氧空位可以忽略。不同条件下制备的薄膜有不同缺 4 陷。 ITO 薄膜电阻率相当低 ( 10 Ωcm 2002年4月20日 ITO 薄膜的光学性质由 In2 O3 立方铁锰矿结构中引入的缺陷决定。导电电子主要来源于氧空位 Vo 和锡替代原子 SnIn 这两种主要缺陷 , 含有百分之几的 Sn 时 ,氧空位可以忽略。不同条件下制备的薄膜有不同缺 4 陷。 ITO 薄膜电阻率相当低 ( 10 Ωcm) , 载流子ITO薄膜的光学和电学性质及其应用百度文库2011年6月6日制备的ITO透明导电薄膜仍保持立方晶体结构，即具有立方铁锰矿结构，同时没有发现单质Sn和Sn氧化物（SnO，Sn02）的特征峰，说明Sn元素已经溶入In203晶格中形成了固溶体。TEM分析结果表明：当退火温度 ITO透明导电薄膜的组分、微结构及其光电特性研究豆丁网2012年6月21日文章编号:100058X0008011404ITO薄膜的光学和电学性质及其应用Ξ马勇孔春阳重庆师范学院物理系重庆摘要:介绍了氧化铟锡ITO薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代InO3晶格上的In原子每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流0cm子浓度为～10Moss ITO薄膜的光学和电学性质及其应用道客巴巴

方锰矿百度百科

锰是元素周期表中第四周期的第七族元素。在自然界中锰有Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ及Ⅶ价态，其中以Ⅱ和Ⅳ价态最为常见。锰在空气中非常容易氧化。在加热条件下，粉状的锰与氯、溴、磷、硫、硅及碳元素都可以化合。锰在地球岩石圈中以及硅酸盐优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为～ 10 2 0 cm3 ,电阻率为～ 10 4Ωcm ,是高度简并半导体 ,其能带为抛物线型结构。由于Burstein Moss效应 ,光学能隙ITO薄膜的光学和电学性质及其应用百度学术2015年10月11日关键词: G0W0BSE近似, 准粒子能带结构, 光学性质, 吸收机理 PACS: 3110+z, 3115–p DOI: 107498/aps64 1 引言方铁锰矿结构的三氧化二铟(In2O3)是重要的 n型宽禁带透明导电氧化物, 具有良好的电导率和透光率, 以及高红外反射率等特性[1;2], In 2In O 晶体电子结构和光吸收机理研究 O2021年6月1日 ITO 在一般情况下为体心立方铁锰矿结构，是基于In 2O3晶体结构的掺杂，In 2O3中In 原子是六配位，O 原子是四配位。 In2O3晶体结构中本征缺位（氧缺位）和Sn 4+替代In 位两种机制共同贡献了大量自由电子，因此ITO 为n 型半导体，载流子浓度在10 21/cm3左右，为重一文读懂ITO薄膜

【材科基干货】第08期：体心立方（BCC）晶胞知识点全

2022年8月19日上期我们复习了面心立方晶胞（FCC）的知识点，本期讲解上海交通大学版《材料科学基础》第2章内容：固体结构，典型金属的晶体结构——体心立方晶胞（BCC）。 01原子结构BCC，即体心立方晶格（Body Center Cubic）2019年5月4日 ITO在一般情况下为体心立方铁锰矿结构，是基于In 2 O 3 晶体结构的掺杂，In 2 O 3 中In原子是六配位，O原子是四配位。 In 2 O 3 晶体结构中本征缺位（氧缺位）和Sn 4＋替代In位两种机制共同贡献了大量自由电子，因此ITO为n型半导体，载流子浓度在10 21 ／cm 3 左一文了解透明导电薄膜材料ITO 维科号2021年8月18日 ITO薄膜具有复杂的立方铁锰矿结构，其特性主要有：（1）导电性能好（电阻率可低达104Ωcm），带隙宽35~43eV，载流子浓度（1021cm3）和电子迁移率（15~45cm2V1s1）较高；（2）在可见光波段透过率，可达85%以上；（3）对紫外线的吸收率较高ITO薄膜的特性及用途知乎2022年1月15日透明ITO导电膜一、ITO膜为什么可以导电从物理学上讲，氧化铟锡膜是一种直接跃迁宽禁带半导体材料，其晶体结构是立方铁锰矿结构。由于在In2O3形成过程中没有构成完整的理想化学配比结构，结晶结构中缺少氧原子(氧空位) ，因此存在过剩的自由电子，这使得ITO膜具备了一定的电子导电性。ITO导电膜的原理是什么知乎

有机材料衬底 ITO 的结构和导电特性研究

2005年9月2日具有三氧化二铟的立方铁锰矿结构, 薄膜的最佳取向为 (111) 方向随着衬底温度的升高, 衍射峰的强度增加, 半高宽减小, 这表明薄膜的平均晶粒度随淀积温度的升高而增大根据衍射谱可以估算出薄膜的平均晶粒度约为15～ 35nm [9]2016年10月18日能带结构、光电性能及力学性能等方面的研究进展，简略探讨了ITO 薄膜的研究发展方向。 1 ITO薄膜的微结构特性通常，利用各种沉积方法制备的晶态或非晶态ITO 薄膜材料的主相均为In2O3。 In2O3 稳定相为立方相，密度为712 g/cm 3，具有体心立方铁锰矿ITO 薄膜的研究进展